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次世代半導体素材GaNの挑戦
貸出可
0
1
0
天野 浩/〔著〕 -- 講談社 -- 2020.4 -- 549.8
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所蔵
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所蔵館
所蔵場所
請求記号
資料コード
資料区分
帯出区分
状態
中央
閲B
K/549.8/あま/ル
1803687583
一般書
可能
利用可
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館別所蔵
館名
所蔵数
貸出中数
貸出可能数
中央
1
0
1
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資料詳細
タイトル
次世代半導体素材GaNの挑戦
副書名
22世紀の世界を先導する日本の科学技術
シリーズ
講談社+α新書
著者名
天野 浩
/〔著〕
出版者
講談社
出版年
2020.4
ページ数等
183p
大きさ
18cm
分類(9版)
549.8
分類(10版)
549.8
内容紹介
「良いイノベーション」を生むためにどのような取り組みを行っているか。次世代の半導体素材などの研究を、企業や他大学、国立の研究所と共同で行うノーベル物理学賞受賞者が、その取り組みを紹介する。
著者紹介
1960年静岡県生まれ。名古屋大学大学院工学研究科博士後期課程単位取得満期退学。工学博士。同大学教授。2014年、ノーベル物理学賞を受賞。同年、文化勲章を受章。
テーマ
半導体
,
パワーエレクトロニクス
ISBN
4-06-513630-0
本体価格
¥880
特定資料種別
図書
URL
https://www.library.city.hiroshima.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1110419994
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