所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
中央	参書庫	K/549.8/わほ/メ	180221332M	一般書	可能	利用可

タイトル	電子デバイス
シリーズ	電子情報通信レクチャーシリーズ
著者名	和保　孝夫／著
出版者	コロナ社
出版年	２０１３．５
ページ数等	９，１８４ｐ
大きさ	２６ｃｍ
分類(9版)	549.8
分類(10版)	549.8
内容紹介	半導体を用いた電子デバイスはパソコン、携帯端末などの情報処理、通信機器の心臓部に使われ、その基本性能と機能を決めてきた。この電子デバイスに関して材料から動作原理、集積回路への応用までわかりやすく説明する。
著者紹介	早稲田大学大学院理工学研究科修士課程修了（物理学および応用物理学専攻）。理学博士（早稲田大学）。上智大学教授。
内容注記	文献：ｐ１８１
テーマ	半導体 , 集積回路
ISBN	4-339-01848-6
本体価格	￥３２００
特定資料種別	図書
URL	https://www.library.city.hiroshima.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1103502241

タイトル	著者名	ページ
１．序論
２．モデルデバイス
３．半導体におけるキャリヤの挙動
４．ｐｎ接合
５．ＭＯＳＦＥＴ
６．ＢＪＴ
７．ＣＭＯＳ論理回路
８．メモリ
９．まとめと今後の展望
１．１　対象とする電子デバイス
１．２　本書の構成
１．３　学習の指針
２．１　モデルデバイスの動作
２．２　ディジタル回路への応用
２．３　アナログ回路への応用
本章のまとめ
理解度の確認
３．１　物質の電気伝導度
３．２　結晶構造とエネルギーバンド
談話室　ダイヤモンド構造
３．３　電流の担い手：キャリヤ
談話室　Ｇｅと化合物半導体
３．４　フェルミ準位とキャリヤ濃度
３．５　キャリヤの輸送現象
本章のまとめ
理解度の確認
４．１　ｐｎ接合のバンド図
４．２　ｐｎ接合の電流電圧特性
４．３　小信号等価回路
４．４　ｐｎ接合に関わる諸現象
本章のまとめ
理解度の確認
５．１　素子構造と動作原理
談話室　トランジスタの語源
５．２　ＭＯＳ構造とＭＳ構造
５．３　電流電圧特性
５．４　等価回路と高速化の指針
本章のまとめ
理解度の確認
６．１　素子構造と基本動作
６．２　電流電圧特性
談話室　ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
６．３　小信号等価回路
６．４　ＭＯＳＦＥＴとの比較
本章のまとめ
理解度の確認
７．１　ＣＭＯＳインバータ
７．２　消費電力と動作速度
７．３　論理回路の構成
７．４　スケール則
談話室　リング発振器
本章のまとめ
理解度の確認
８．１　メモリの基本構成
８．２　ＲＯＭ
８．３　ＲＡＭ
本章のまとめ
理解度の確認
９．１　電子デバイスをめぐる大きな流れ
９．２　トランジスタから集積回路へ

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